半导体光电杂志社
 
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期刊名称:半导体光电
主办单位:重庆光电技术研究所(中国电子科技集团公司第四十四研究所)
国内刊号:CN:50-1092/TN
国际刊号:ISSN:1001-5868
出刊日期:双月
期刊级别:
(2021)复合影响因子:0.777
(2021)综合影响因子:0.618
CA 化学文摘(美)(2022)
JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2022)
北京大学《中文核心期刊要目总览》来源期刊: 1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版
期刊荣誉: Caj-cd规范获奖期刊
 
《半导体光电》创刊于1976年,是由中国电子科技集团公司主管、重庆光电技术研究所主办的中文科技期刊。本刊国内外公开发行,经过近四十年的发展已经成为我国光电子专业领域有代表性的刊物。
 《半导体光电》旨在传播、推广、交流光电子科学与技术,促进光电子技术及其相关学科理论和技术的繁荣与发展。在报道重点上,本刊秉持以光电器件为主体,以材料、结构及工艺为基础,以光电器件在各个领域中的应用为先导的选题原则。主要设有“动态综述”、“光电器件”、“材料、结构及工艺”、“光通信”及“光电技术应用”等栏目。
 《半导体光电》是全国中文核心期刊,连续多年获得工业和信息化部“优秀科技期刊奖”。被中国科学引文数据库、中国学术期刊、INSPEC数据库、Elsevier二次文献Scopus数据库、《CA》、《JA》等众多国内外数据库收录,影响力逐年提升。查看详情
 
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来稿要求及注意事项:

1. 来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家机密,引用他人作品应给出来源。

2. 普通类型文稿一般不超过8 000 字,综述稿不限。所有稿件应附中英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。

3. 摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200~250 字为宜。

4. 关键词以5~8 个为宜。为便于文献检索, 应尽可能提供中图分类号。

5.文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。

6. 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作,勿用截图。本刊自2020年第4期开始改版为彩色印刷,接受彩色图文件。请在投稿时一并提交图文件,分辨率不低于600dpi,框图、流程图等推荐用visio软件绘制。

7. 文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。

文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号):
1) 专著:作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.
2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.
3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.
4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.
5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.
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7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.
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9) 注意事项
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(2)外文著者一律用姓在名前,采用首字母缩写(中国人用全名不缩写)。姓和名之间不加逗号,名2个以上大写首字母,2名间空一格。文献作者3名以内全部列出,4名以上则列前3人,后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等,应用逗号分开。
(3)外文题名第一个单词首字母大写,其余单词(专有名词除外)均不大写。
(4)外文刊名应按国际标准规定缩写,不加缩写点。
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